ภาษาไทย | English

หมวดหนังสือ -> เอกสารสถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง -> โครงสร้างผลึก สมบัติทางแสง และสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ Cd₁₋xZnxSe ที่เตรียมโดยวิธีระเหิดสารเคมีในระยะประชิด
คะแนนหนังสือ :
คะแนนเฉลี่ย : 4.00
คะแนนหนังสือ :
ให้คะแนน  

อ่านหนังสือ  ยืมหนังสือ
 

Title
โครงสร้างผลึก สมบัติทางแสง และสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ Cd₁₋xZnxSe ที่เตรียมโดยวิธีระเหิดสารเคมีในระยะประชิด
Title.Alternative
Crystal structure, optical and electrical properties of Cd₁₋xZnxSe thin films prepared by closed space sublimation method
Creator
นพณัฐ เดชะคำภู
Subject
โครงสร้างผลึก
Subject
ฟิล์มบาง -- สมบัติทางแสง
Subject
ฟิล์มบาง -- สมบัติทางไฟฟ้า
Subject
ฟิล์มสารกึ่งตัวนำ
Subject
ฟิสิกส์ประยุกต์ -- วิทยานิพนธ์
Subject
สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สาขาวิชาฟิสิกส์ประยุกต์ -- วิทยานิพนธ์
Description.Abstract
ฟิล์มบางชองสารกึ่งตัวนำ Cd₁-xZnxSe (0 ≤ x ≤ 1) ที่เคลือบลงบนแผ่นฐานรองรับที่เป็นแผ่นกระจกสไลด์ ด้วยวิธีการระเหิดสารเคมีด้วยความร้อนในระยะประชิดภายในระบบสุญญากาศ โดยใช้สารตั้งต้นที่เป็นผงผลึก CdSe และ ZnSe ที่มีความบริสุทธิ์สูง โดยที่ฟิล์มบางชองสารกึ่งตัวนำ CdSe ให้อุณหภูมิแก่สารตั้งต้น และ อุณหภูมิแก่แผ่นฐานรองรับเท่ากับ 650 และ 550 องศาเซลเซียส ตามลำดับ แต่ที่ฟิล์มบางของอัลลอยของสารกึ่งตัวนำ Cd₁-xZnxSe (0.2 ≤ x ≤ 0.8) และฟิล์มบางชองสารกึ่งตัวนำ ZnSe ให้อุณหภูมิแก่สารตั้งต้น และ อุณหภูมิแก่แผ่นฐานรองรับเท่ากับ 780 และ 680 องศาเซลเซียส ตามลำดับ จากการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์พบว่าฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ CdSe มีโครงสร้างผลึกแบบเฮกซะโกนัลและมีระนาบที่โดดเด่นคือ (002) แต่ฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ ZnSe มีโครงสร้างผลึกแบบคิวบิกและมีระนาบที่โดดเด่นคือ (111) และฟิล์มบางของอัลลอยของสารกึ่งตัวนำ Cd₁-xZnxSe (0.2 ≤ x ≤ 0.8) มีโครงสร้างผลึกแบบผสมทั้งเฮกซะโกนัลและคิวบิก ทำการศึกษาบริเวณผิวหน้าของฟิล์มบางจากภาพถ่ายโดยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราดและ ทำการวิเคราะห์ธาตุด้วยเทคนิค EDS จากการศึกษาการส่งผ่านแสงในช่วงความยาวคลื่นตั้งแต่ 300 ถึง 900 นาโนเมตร พบว่า ค่าช่องว่างแถบพลังงานของฟิล์มบางชองสารกึ่งตัวนำ Cd₁-xZnxSe (0 ≤ x ≤ 1) มีการเพิ่มขึ้นจาก 1.68 เป็น 2.63 อิเล็กตรอนโวลต์ ตามค่าเศษส่วนโดยโมลอะตอม (x) ที่เพิ่มขึ้นจาก 0.0 เป็น 1.0 ตามลำดับ ได้ทำการประดิษฐ์รอยต่อวิวิธพันธุ์ต้นแบบสารกึ่งตัวนำ n-CdSe/p-Cu₂O โดยการเคลือบฟิล์มบาง Cu₂O ด้วยวิธีรีแอคทีฟดีซีแมกนีตรอนสปัตเตอร์ริงและฟิล์มบาง CdSe โดยวิธีระเหยสารเคมีด้วยความร้อนภายในระบบสุญญากาศเคลือบลงบนกระจก FTO ตามลำดับ ได้ทำการศึกษาความสัมพันธ์ระหว่าง , และ โดยอาศัยแบบจำลองของการปรากฏสภาวะผิวเชื่อมต่อที่รอยต่อชอตต์กีที่ขั้วไฟฟ้าด้านหลัง รวมทั้งได้นำเสนอแผนภาพแถบพลังงานของรอยต่อวิวิธพันธุ์ของสารกึ่งตัวนำ n-CdSe/p-Cu₂O เพื่อใช้อธิบายกลไกการนำกระแสผ่านรอยต่อ คำสำคัญ : ฟิล์มบางของสารกึ่งตัวนำ Cd₁-xZnxSe วิธีการระเหิดสารเคมีด้วยความร้อนในระยะประชิด โครงสร้างผลึกแบบผสม
Publisher
สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สำนักหอสมุดกลาง
Publisher.Place
กรุงเทพมหานคร
Publisher.Email
library@kmitl.ac.th
Contributor
งามนิตย์ วงษ์เจริญ
Contributor.Role
อาจารย์ผู้ควบคุมวิทยานิพนธ์
Contributor.Email
kwngamni@kmitl.ac.th
Date.Created
2559
Date.Issued
2561-03-16
Date.Modified
2561-03-16
Type
วิทยานิพนธ์/KMITL E-Thesis
Format
application/pdf
Source.CallNumber
วพ. น168ค 2559
Language
tha
Rights
สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง
Thesis.DegreeName
วิทยาศาสตรมหาบัณฑิต (ฟิสิกส์ประยุกต์)
Thesis.Level
ปริญญาโท
Thesis.Descipline
ฟิสิกส์ประยุกต์
Thesis.Grantor
สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง


แสดงความเห็น
หัวข้อ
รายละเอียด
 
 
 
     แสดงความเห็น

54.163.22.209