ภาษาไทย | English

หมวดหนังสือ -> เอกสารสถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง -> วงจรขยายทรานส์คอนดักเตอร์ (โอทีเอ) และวงจรซุปเปอร์มอสทรานซิสเตอร์โดยใช้ทรานซิสเตอร์เสมือนเกตลอย และทรานซิสเตอร์ไบอัสที่ขาบอดี้ที่ทำงานภายใต้ไฟเลี้ยงต่ำ

คะแนนหนังสือ :
ให้คะแนน  

อ่านหนังสือ  ยืมหนังสือ
 

Title
วงจรขยายทรานส์คอนดักเตอร์ (โอทีเอ) และวงจรซุปเปอร์มอสทรานซิสเตอร์โดยใช้ทรานซิสเตอร์เสมือนเกตลอย และทรานซิสเตอร์ไบอัสที่ขาบอดี้ที่ทำงานภายใต้ไฟเลี้ยงต่ำ
Title.Alternative
Low-voltage operational transconductance amplifiers (OTAs) and super MOS transistor using guasi-floating gate and bulk-driven MOS transistors
Creator
ธวัชชัย ทองเหลี่ยม
Subject
การออกแบบวงจรอิเล็กทรอนิกส์
Subject
เครื่องกำเนิดสัญญาณ
Subject
ซีมอส (อิเล็กทรอนิกส์)
Subject
วิศวกรรมไฟฟ้า -- วิทยานิพนธ์ (ปริญญาเอก)
Subject
สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สาขาวิชาวิศวกรรมไฟฟ้า -- วิทยานิพนธ์
Description.Abstract
วิทยานิพนธ์ฉบับนี้นำเสนอวงจรโอทีเอ และซุปฟอร์มอสทรานซิสเตอร์ วงจรโอทีเอที่นำเสนอมี 3 วงจรซึ่งใช้การซดเชยตัวเก็บประจุทรานซิสเตอร์เสมือนเกตลอย และทรานซิสเตอร์ที่ถูกป้อนสัญญาณที่ขาบอดี้ วงจรโอทีเอที่ได้มืช่วงสวิงอินพุตและเอาต์พุตกว้าง วงจรโอทีเอวงจรที่หนึ่งใช้ แรงดันไฟเลี้ยงเท่ากับ 0.8 โวลต์ วงจรที่สองใช้แรงดันไฟเลี้ยงเท่ากับ 0.5 โวลต์ และวงจรที่สามใช้แรงดันไฟเลี้ยงเท่ากับหนึ่งโวลต์ วงจรโอทีเอทั้งหมดถูกออกแบบโดยใช้เทคโนโลยีแบบซีมอสที่มืขนาด เท่ากับ 0.18 ไมโครเมตร วงจรถูกจำลองการทำงานโดยโปรแกรม HSPICE ผลการจำลองการทำงาน แสดงให้เห็นว่าวงจรโอทีเอวงจรแรกมีอัตราขยายเท่ากับ 65.8 เดซิเบล ส่วนเผื่อเฟสมืค่าเท่ากับ 57 องศา และผลคูณระหว่างอัตราขยายและแบนด์วิดท่มีค่าเท่ากับ 10.2 เมกะเฮิรตซ์ และกำลังสูญเสียมี ค่าเท่ากับ 59.4 ไมโครวัตต์ วงจรโอทีเอวงจรที่สองมีอัตราขยายเท่ากับ 67.2 เดซิเบล ส่วนเผื่อเฟสมี ค่าเท่ากับ 68 องศา และผลคูณระหว่างอัตราขยายและแบนด์วิดที่มีค่าเท่ากับ 24.2 เมกะเฮิรตซ์ และ กำลังสูญเสียมีค่าเท่ากับ 30 ไมโครวัตต์ วงจรโอทีเอวงจรที่สามมีอัตราขยายค่าเท่ากับ 62.2 เดซิเบล ส่วนเผื่อเฟสมีค่าเท่ากับ 60 องศา และผลคูณระหว่างอัตราขยายและแบนด์วิดท์มีค่าเท่ากับ 15 เมกะเฮิรตซ์ และกำลังสูญเสียมีค่าเท่ากับ 106 ไมโครวัตต์ นอกจากนี้วิทยานิพนธ์ได้นำเสนอซุปเปอร์ มอสทรานซิสเตอร์ 3 แบบโดยป้อนสัญญาณที่ขาบอดี้ และใช้ทรานซิสเตอร์เสมือนเกตลอย โดยมีการต่อแคสโคดตัวเองร่วมกับการป้อนกลับแบบลบทรานซิสเตอร์ทำงาน โดยใช้แรงดันไฟเลี้ยงเท่ากับ 0.4 โวลต์ และกระแสไบอัสเท่ากับ 10 ไมโครแอมป้ ผลการจำลองการทำงานแสดงให้เห็นว่าค่าทรานส์คอนดักแตนซ์ของซฺปเปอร์มอสทรานซิสเตอร์ที่นำเสนอมีค่าเท่ากับ 11.77, 11.57 และ 1.72 มิลลิแอมป์ต่อโวลต์ ค่าความต้านเสมือนที่ขาเดรนมีค่าเท่ากับ 385.5 551.3 และ 946 กิโลโอห์ม และค่าความต้านทานเสมือนที่ขาซอร์สมีค่าเท่ากับ 16.8, 17.1 และ 109.73 โอห์ม เพื่อทดสอบการใช้งาน จริง ซุปฟอร์มอสทรานซิสเตอร์ที่นำเสนอได้ถูกนำไปต่อใช้งานเป็นวงจรขยายซอร์สร่วมและวงจรขยายเกตร่วมและผลการจำลองพบว่าวงจรสามารถทำงานได้ดี
Publisher
สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง. สำนักหอสมุดกลาง
Publisher.Place
กรุงเทพมหานคร
Publisher.Email
library@kmitl.ac.th
Contributor
วรากร เกษมสุวรรณ์
Contributor.Role
อาจารย์ผู้ควบคุมวิทยานิพนธ์
Date.Created
2559
Date.Issued
2561-03-02
Date.Modified
2561-03-02
Type
วิทยานิพนธ์/KMITL E-Thesis
Format
application/pdf
Source.CallNumber
วพ. ธ394ว 2559
Language
tha
Rights
สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง
Thesis.DegreeName
วิศวกรรมศาสตรดุษฎีบัณฑิต (วิศวกรรมไฟฟ้า)
Thesis.Level
ปริญญาเอก
Thesis.Descipline
วิศวกรรมไฟฟ้า
Thesis.Grantor
สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง


แสดงความเห็น
หัวข้อ
รายละเอียด
 
 
 
     แสดงความเห็น

3.226.251.205